消息称SK 海力士将在 MOR 光刻胶 Inpria 生产中采用新型 1c DRAM

IT之家 5 月 30 日消息,随着 DRAM 小型化的不断推进,SK 海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。

据 TheElec,SK Hynix 计划在第 6 代(1c 工艺,约10nm)DRAM 的生产中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是 MOR 首次应用于 DRAM 量产工艺。

消息人士称,SK Hynix 量产的 1c DRAM 上有五个极紫外 (EUV) 层,其中一层将使用 MOR 绘制。他还补充说,“不仅 SK 海力士,三星电子也将追求这类无机 PR 材料。”

IT之家查询公开资料获悉,Inpria 是日本化学公司 JSR 的子公司,也是无机光刻胶领域的领导者;而 MOR 则被认为是目前用于先进芯片光刻的化学放大光刻胶(CAR)的下一代产品。

此外,该公司自 2022 年以来就一直与 SK Hynix 合作进行 MOR 研究。SK Hynix 此前曾表示,使用 Sn(基)氧化物光刻胶将有助于提高下一代 DRAM 的性能并降低成本。

TheElec 报道还指出,三星电子也在考虑将 MOR 应用于 1c DRAM,目前三星电子在 1c DRAM 上应用了 6 至 7 个 EUV 层,而美光则只应用了 1 层。


iphone6s plus怎么拆机

1. 近日对iPhone6 Plus进行了全面的拆机,透过真机拆解的展示来看,iPhone6 Plus一如既往的延续了苹果对产品要求的严苛程度,做工也与以往相似,甚至还有提升之处。 而对于近日倍受网友关注的iPhone6 Plus的RAM(运行内存)是1GB或2GB,通过真机拆解也得出了结论确定为1GB,现在就来看下iPhone6 Plus的内部究竟如何2. 一如既往的与此前iPhone5s的螺丝相同3. 和之前的iPhone5/5s一样,屏幕的排线由金属支架牢牢固定在逻辑板上4. 全部拆开前面板和背部5. 从iPhone6加取出电池,电池连接器覆盖有金属支架,这也免除使用镊子。 电池底部还是有一层塑料贴纸, 这种粘合剂是类似于3M无痕胶,当你拉动的标签是正确的,那么剪整条则会断开6. 电池电压为3.82 V和11.1瓦时的能量,iPhone6 Plus的电池为2915毫安时,比1560毫安时iPhone5S的多出近一倍。 苹果宣称可达24小时的3G,和384小时的待机时间的通话时间7. 振动器组件位于与电池的右侧,下方的逻辑电路板8. 后置的iSight摄像头的背面标有DNLF MKLAB。 和iPhone5S一样,iPhone6 Plus配一个800万像素(1.5μ像素),?/2.2光圈后置摄像头。 iPhone6 Plus新增了光学防抖,以及焦点像素相位侦测自动对焦特性9. 在拆开逻辑板被紧紧地固定在后壳外壳由几个螺丝之前,一定要记得从逻辑电路板的背面断开天线连接器才行10. 后置的iSight摄像头的背面标有DNLF MKLAB。 和iPhone5S一样,iPhone6 Plus配一个800万像素(1.5μ像素),?/2.2光圈后置摄像头。 iPhone6 Plus新增了光学防抖,以及焦点像素相位侦测自动对焦特性11. 逻辑板:红色:SK海力士H2JTDG8UD1BMS128 GB(16 GB)NAND闪存 橙色:村田339S0228 WiFi模块 黄色:苹果PMIC338S1251-AZ 绿色:博通BCM5976触摸屏控制器

苹果手机有日本配件吗?

有日本生产的配件1. 苹果手机很多都是别的国家代工厂帮制造的,而苹果队零件的采购并没强制规定。 2. 如日本的村田制作所生产的SAW滤波器、无线LAN模块、积层陶瓷电容器、高频部件等都被广泛使用在iPhone上。 3. 日本的阿尔卑斯电器则为iPhone提供镜头光学防抖组件,这一组件的供应商还有日本三美电机。 该部件的主要作用,就是最大程度的降低操作者在使用过程中由于抖动造成影像不稳定,相比一般的电子防抖、软件防抖效果要更好。

为什么内存条涨价厉害,涨了一倍多

市场上,中高端智能手机以高分辨率为主流,加上双镜头功能,增加内存容量至4-6GB,旗舰机有望配备8GB。 服务器市场,需求持续强劲。 高端笔记本新机标配从8GB起跳、2-in-1超薄笔记本及电竞机型需求逆势成长。 ,另外各大厂商将重心转移生产3D NAND闪存这些移动端内存,这种局面造成全年DRAM内存都面临缺货窘境。 所以内存价格仍在居高不下。 技术上,DDR3内存自从2007年服役以来,至今已经走过了8个年头。 相比Intel的更新换代步伐来说,内存发展可谓相当缓慢。 DDR4在2015年小规模面世,真正大规模铺向市场是2016年。 相比于DDR3,DDR4内存大不同,电压、时序、频率都相应变化,连金手指也不同,工厂由DDR3转DDR4内存生产,这造成一时产能的压力。 工艺方面,三星专注于18nm,预计到今年底占比将接近一半,SK海力士则重点提升21nm的良品率和占比,年底量产18nm。 美光的17nm良品率正在稳步提升,年底占比将超过80%。 以此来说,年底到年初价格就会稳定到逐渐下降!

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